瓷片电容103和104有什么不同(瓷片电容103)
1、103为0.01uF,104为0.1uF。
2、瓷片电容读法:104=10*10的4次方pF=0.1uF,相同的型号有103、102、224、223、222、474、473、472等。
3、瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。
(资料图片仅供参考)
4、具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。
5、扩展资料瓷片电容的识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种。
6、电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法 (μF)、纳法(nF)、皮法(pF)。
7、其中:1法拉=1000毫法(mF),1毫法=1000微法(μF),1微法=1000纳法 (nF),1纳法=1000皮法(pF)数字表示法:三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。
8、三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字,第三位数字表示有效数字后面零的个数,它们的单位都是pF。
9、参考资料来源:百度百科-瓷片电容103为0.01uF,104为0.1uF。
10、瓷片电容读法:104=10*10的4次方pF=0.1uF,相同的型号有103、102、224、223、222、474、473、472等。
11、瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。
12、具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。
13、低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。
14、这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
15、扩展资料:瓷片电容的识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种。
16、电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法 (μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。
17、其中:1法拉=1000毫法(mF),1毫法=1000微法(μF),1微法=1000纳法 (nF),1纳法=1000皮法(pF)数字表示法:三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。
18、三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字,第三位数字表示有效数字后面零的个数,它们的单位都是pF。
19、参考资料来源:百度百科-瓷片电容103为0.01uF,104为0.1uF。
20、瓷片电容读法:104=10*10的4次方pF=0.1uF,相同的型号有103、102、224、223、222、474、473、472等。
21、瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。
22、具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。
23、低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。
24、这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
25、扩展资料:瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。
26、具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。
27、低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。
28、这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
29、高压瓷片电容就是以陶瓷材料为介质的圆板电容器,在“瓷片”电容器中一般DC50v以下叫低压,DC100V~500V为中高压,DC1000v~6000v和为高压,安规Y电容也是属于高压,DC6000v以上为超高压 。
30、参考资料来源:百度百科-瓷片电容 103意思是说电容为0.01uF 瓷片电容读法:103=10*10的3次方pF=0.01uF 相同的型号有103、102、224、223、222、474、473、472等 名词解释: 瓷片电容 定义 瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。
31、通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器。
32、 分类 瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。
33、具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。
34、低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。
35、这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
36、 按瓷介电容电介质又分:1类电介质(NP0,C0G),2类电介质(X7R,2X1)和3类电介质(Y5V,2F4)瓷介电容器。
37、EIA RS-198。
38、 优缺 优点:稳定,绝缘性好,耐高压 瓷片电容 缺点:容量比较小 作用 MLCC(1类)—微型化,高频化,超低损耗,低ESR,高稳定,高耐压,高绝缘,高可靠,无极性,低容值,低成本,耐高温.主要应用于高频电路中. MLCC(2类)—微型化,高比容,中高压,无极性,高可靠,耐高温,低ESR,低成本.主要应用于中,低频电路中作隔直,耦合,旁路和滤波等电容器使用。
39、 高压 高压瓷片电容就是以陶瓷材料为介质的圆板电容器,在“瓷片”电容器中一般DC50v以下叫低压,DC100V~500V为中高压,DC1000v~6000v和为高压,安规Y电容也是属于高压,DC6000v以上为超高压。
40、 高压瓷片电容作用具有耐磨直流高压的特点,适用于高压旁路和耦合电路中,其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗,特别适合在电视接收机和扫描等电路中使用。
41、 识别 瓷片电容的识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种。
42、电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法 (μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。
43、其中:1法拉=1000毫法(mF),1毫法=1000微法(μF),1微法=1000纳法 (nF),1纳法=1000皮法(pF) 容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10 μF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示 字母表示法:1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字表示法:三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。
44、三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字,第三位数字表示有效数字后面零的个数,它们的单位都是pF。
45、 如:102表示标称容量为1000pF。
46、 221表示标称容量为220pF。
47、 224表示标称容量为22x10(4)pF。
48、 在这种表示法中有一个特殊情况,就是当第三位数字用"9"表示时,是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。
49、 如:229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。
50、 允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如:一瓷片电容为104J表示容量为0.1 μF、误差为±5%104为0.1uF103为0.01uF瓷片电容读法:104=10*10的4次方pF=0.1uF 相同的型号有103、102、224、223、222、474、473、472等。
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